溶氣罐使用須知

1、要妥善確定溶氣水的壓力與回流比，壓力與回流比選擇過小會影響凈水效果，壓力選擇過高既增加電能消耗，又會因氣泡并大而使無用氣泡增加，回流比選擇過大，既浪費電能、增加設(shè)備投資，又使池中負荷增大，造成水流不穩(wěn)定而影響出水水質(zhì)。

2、要合理選擇溶氣釋放器的種類及型號，并妥加布置，當采用TS型釋放器時，宜加設(shè)濾網(wǎng)等措施。

3、溶氣罐應(yīng)盡可能靠近溶氣釋放器，同時連接釋放器的溶氣水管直徑宜適當放大，以盡量減少管路中的壓力降。避免沿途減壓而造成的氣泡提前析出與并大。

4、在調(diào)試前除了對設(shè)備進行常規(guī)的清掃與檢查外，應(yīng)將釋放器拆下，進行多次管路及溶氣罐的清洗，待出水沒有易堵的顆粒雜質(zhì)時，才將釋放器裝上。

5、在調(diào)試時應(yīng)首先調(diào)試壓力溶氣系統(tǒng)與溶氣釋放系統(tǒng)，調(diào)試用的溶氣水應(yīng)是清水，待上述系統(tǒng)運轉(zhuǎn)正常后，才向反應(yīng)池內(nèi)注入原水。

6、溶氣罐的進、出水閥門，在運行時必須完全打開，避免由于出水閥門處截留，而使氣泡提前釋放，并在管道內(nèi)并大。

7、運行時溶氣罐內(nèi)的水位必須妥加控制，水位不能淹沒填料層，但也不宜過低，以防在出水中帶出大量氣泡，一般水位保持在罐底60cm以上。

8、空壓機的壓力需在大于溶氣罐的壓力時才能向罐內(nèi)注入空氣，為防止壓力水倒灌入空氣壓縮機，可在進氣罐上裝設(shè)單向閥。

9、需經(jīng)常觀察池面情況，如發(fā)現(xiàn)接觸區(qū)浮渣面不平、局部冒出大氣泡，很可能是由于釋放器被堵，如發(fā)現(xiàn)分離區(qū)渣面不平，池面常有大氣泡鼓出或，則表明氣泡與絮粒粘附不好，應(yīng)采取相應(yīng)措施。

10、為了在刮渣時盡量不影響出水水質(zhì)，刮渣時需抬高池內(nèi)水們，并按的浮渣堆積厚度及浮渣含水率進行定期的刮渣

     氣浮濾池，其特征在于在翻板濾池內(nèi)設(shè)有溶氣釋放器，該溶氣釋放器通過管道與溶氣罐連通。該絮凝池通過進水總渠與翻板濾池的前端連通，翻板濾池前部設(shè)有氣浮接觸區(qū)，該氣浮接觸區(qū)的入口設(shè)在翻板濾池的底部，該氣浮接觸區(qū)的出口設(shè)在翻板濾池的上端，溶氣釋放器設(shè)在氣浮接觸區(qū)內(nèi)近氣浮接觸區(qū)入口處。翻板濾池采用序批式?jīng)_洗，不設(shè)中央排水槽，提高了濾池的有效過濾面積，與氣浮濾池疊合后上下布水均勻，使出水水質(zhì)更有保障。另外，可在不增加原翻板濾池池深的情況下疊合氣浮

   氣浮濾池

   運用絮凝和浮選原理使液體中的雜質(zhì)分離上浮而去除的池子。

   氣浮溶氣罐

   在氣浮工藝中，水與空氣在有壓的條件下相互溶合的密閉容器。簡稱接觸室。

   氣浮接觸室

   在氣浮工藝中，設(shè)于水絮凝室后，使水與飽和溶氣水充分混合接觸的地方。簡稱接觸室。

浮技術(shù)是在待處理水中痛入大量的、高度分散的微氣泡，使之作為載體與雜質(zhì)絮粒相互黏附，形成整體密度小于水的浮體而上浮到水面，以完成水中固體與固體、固體與液體、液體與液體分離的凈水方法。

    溶氣氣浮（DAF）是氣浮的一種，它利用水在不同壓力下溶解度不同的特性，對全部或部分待處理(或處理后)的水進行加壓并加氣，增加水的空氣溶解量，通入加過混凝劑的水中，在常壓情況下釋放，空氣析出形成小氣泡，粘附在雜質(zhì)絮粒上，造成絮粒整體密度小于水而上升，從而使固液分離。溶氣氣浮（DAF）適用于處理低濁度、高色度、高有機物含量、低含油量、低表面活性物質(zhì)含量或具有富藻的水。相對于其它的氣浮方式，它具有水力負荷高，池體緊湊等優(yōu)點。但是它的工藝復(fù)雜，電能消耗較大，空壓機的噪音大等缺點也限制著它。

三、適用范圍：

該射流氣浮凈化機適用于油田、煉油廠、石油化工、冶金、軋鋼、焦化、皮革、機械加工、發(fā)電、市政工程、紡織、印染、輕工等行業(yè)的污水治理，可有效地去除污水中的油、懸浮物、有機物、重金屬等有害物質(zhì)，達到固、液分離目的。

四、技術(shù)指標：

根據(jù)污水的種類和乳化程序，經(jīng)多級浮選后出口污水非乳化油除油率可達70%-90%(如含溶解油，乳化油可加藥處理)懸浮物去除率可達50%-80%；COD去除率可達50%，該系列產(chǎn)品每小時處理量為10-350立方米，其主要性能指標可達到目前國際同類產(chǎn)品水平，居國內(nèi)首地位。處理介質(zhì)的溫度：0-80℃，射流泵電源：380V，50赫 。